VISOMS MAINOMOMS KNYGOMS –50%! ☃️ Nuolaida taikoma krepšelyje iki gruodžio 31 d.

GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers.

GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers.

Birte-Julia Godejohann
GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers.
2018ISBN 9783839613405
Viršelis: KietasAnglų k.
Negrožinė literatūraLiteratūra užsienio kalbomisFiziniai ir technologijos mokslaiStatyba, inžinerija
Šią knygą siūlo (0)
Šios knygos nori (0)
Pradinis
Krepšelis
Pokalbiai
Pranešimai
Paskyra